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中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 672
Authors:  刘键;  王佩璇;  柯俊;  朱沛然;  杨峰;  殷士端
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Si(0.5)Ge(0.5)合金的热氧化物的研究 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 7, 页码: 491
Authors:  邢益荣;  崔玉德;  殷士端;  张敬平;  李侠;  朱沛然;  徐田冰
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硅化物薄膜的质子弹性散射分析 期刊论文
物理学报, 1992, 卷号: 41, 期号: 12, 页码: 2049
Authors:  朱沛然;  江伟林;  徐天冰;  殷士端
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离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究 期刊论文
半导体学报, 1990, 卷号: 11, 期号: 11, 页码: 866
Authors:  肖光明;  殷士端;  张敬平;  范缇文;  刘家瑞;  丁爱菊;  周钧铭;  朱沛然
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注锌硅的物理行为 期刊论文
半导体学报, 1990, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 341
Authors:  卢励吾;  许振嘉;  殷士端
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La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成 期刊论文
半导体学报, 1990, 卷号: 11, 期号: 7, 页码: 533
Authors:  牟善明;  王佑祥;  殷士端;  张敬平;  刘家瑞
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Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系的As离子注入和退火 期刊论文
半导体学报, 1989, 卷号: 10, 期号: 9, 页码: 659
Authors:  吴春武;  殷士端;  张敬平;  范缇文;  刘家瑞;  朱沛然
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InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应 期刊论文
物理学报, 1989, 卷号: 38, 期号: 1, 页码: 83
Authors:  吴春武;  殷士端;  张敬平;  肖光明;  刘家瑞;  朱沛然
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In(0.25) Ga(0.75) As/GaAs应变异质结的离子沟道分析 期刊论文
半导体学报, 1989, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 12
Authors:  殷士端;  吴春武;  张敬平;  刘家瑞;  朱沛然
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