InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应
	吴春武; 殷士端; 张敬平; 肖光明; 刘家瑞; 朱沛然
	1989
Source Publication	物理学报
Volume	38 Issue:1 Pages:83
metadata_83	中科院半导体所;中科院物理所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:102196
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20519
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	吴春武,殷士端,张敬平,等. InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应[J]. 物理学报,1989,38(1):83.
APA	吴春武,殷士端,张敬平,肖光明,刘家瑞,&朱沛然.(1989).InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应.物理学报,38(1),83.
MLA	吴春武,et al."InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应".物理学报 38.1(1989):83.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库