Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应 | |
吴春武; 殷士端; 张敬平; 肖光明; 刘家瑞; 朱沛然 | |
1989 | |
Source Publication | 物理学报
![]() |
Volume | 38Issue:1Pages:83 |
metadata_83 | 中科院半导体所;中科院物理所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:102196 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20519 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 吴春武,殷士端,张敬平,等. InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应[J]. 物理学报,1989,38(1):83. |
APA | 吴春武,殷士端,张敬平,肖光明,刘家瑞,&朱沛然.(1989).InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应.物理学报,38(1),83. |
MLA | 吴春武,et al."InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应".物理学报 38.1(1989):83. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
6375.pdf(365KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment