In（0.25） Ga（0.75） As/GaAs应变异质结的离子沟道分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	In（0.25） Ga（0.75） As/GaAs应变异质结的离子沟道分析
	殷士端; 吴春武; 张敬平; 刘家瑞; 朱沛然
	1989
Source Publication	半导体学报
Volume	10 Issue:1 Pages:12
metadata_83	中科院半导体所;中科院物理所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:85763
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20551
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	殷士端,吴春武,张敬平,等. In（0.25） Ga（0.75） As/GaAs应变异质结的离子沟道分析[J]. 半导体学报,1989,10(1):12.
APA	殷士端,吴春武,张敬平,刘家瑞,&朱沛然.(1989).In（0.25） Ga（0.75） As/GaAs应变异质结的离子沟道分析.半导体学报,10(1),12.
MLA	殷士端,et al."In（0.25） Ga（0.75） As/GaAs应变异质结的离子沟道分析".半导体学报 10.1(1989):12.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库