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Ti和蓝宝石的界面反应 期刊论文
物理学报, 1996, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 832
Authors:  顾诠;  王佑祥;  崔玉德;  陈新;  陶琨
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利用快速热退火在n-GaAs上形成Ge/pdge欧姆接触 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 10, 页码: 784
Authors:  陈维德;  谢小龙;  崔玉德;  段俐宏;  许振嘉
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俄歇电子能谱定量分析及有关效应的研究 成果
1995
Accomplishers:  陈维德;  崔玉德
Favorite  |  View/Download:795/0  |  Submit date:2010/04/13
俄歇电子  
GaAs(100)的(NH4)2Sx和P2S5/(NH4)2Sx表面钝化 期刊论文
物理学报, 1995, 卷号: 44, 期号: 8, 页码: 1328
Authors:  陈维德;  金高龙;  高志强;  崔玉德;  段俐宏
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Si(0.5)Ge(0.5)合金的热氧化物的研究 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 7, 页码: 491
Authors:  邢益荣;  崔玉德;  殷士端;  张敬平;  李侠;  朱沛然;  徐田冰
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AlxCa(1-x)As俄歇灵敏度因子的测定 期刊论文
物理学报, 1994, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 673
Authors:  陈维德;  崔玉德
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InxGa(1-a)As的俄歇电子谱定量分析 期刊论文
半导体学报, 1993, 卷号: 14, 期号: 7, 页码: 410
Authors:  陈维德;  陈宗圭;  崔玉德
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多晶硅/CoSi2/Si结构热稳定性研究 期刊论文
半导体学报, 1991, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 700
Authors:  陈维德;  金高龙;  崔玉德;  许振嘉
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Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应 期刊论文
半导体学报, 1990, 卷号: 11, 期号: 11, 页码: 859
Authors:  陈维德;  崔玉德;  许振嘉;  陶江
Adobe PDF(170Kb)  |  Favorite  |  View/Download:688/191  |  Submit date:2010/11/23