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锑化物HEMT器件研究进展 期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 29-35
Authors:  李彦波;  刘超;  张杨;  曾一平
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周期换向脉冲电沉积-硒化法制备铜铟镓硒薄膜 期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 187-194
Authors:  曹洁;  曲胜春;  刘孔;  王占国
Adobe PDF(1250Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1171/305  |  Submit date:2012/07/17
内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2010, 卷号: 16, 期号: 6, 页码: 596-599
Authors:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华;  曾一平
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电子束辐照下单壁碳纳米管的结构不稳定性 期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 268-272
Authors:  苏江滨;  孟焘;  李论雄;  王占国;  朱贤方
Adobe PDF(492Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1025/337  |  Submit date:2010/11/23
单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备 期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 915-918
Authors:  方志丹;  崔碧峰;  黄社松;  倪海桥;  邢艳辉;  牛智川
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光子晶体在Si基发光器件中的应用 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 185-190
Authors:  唐海侠;  王启明
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AlGaN基UV—LED的研究与进展 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 95-100
Authors:  魏同波;  王军喜;  闫建昌;  李晋闽
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基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 4, 页码: 367-370
Authors:  孙佳胤;  陈静;  王曦;  王建峰;  刘卫;  朱建军;  杨辉
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Radiation hardness characteristic of N-implanted and F-implanted SIMOX/NMOSFET 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 426-430
Authors:  WANG Ningjuan;  LI Ning;  LIU Zhongli;  ZHANG GuoQiang;  YU Fang;  Zheng Zhongshan;  LI Guohua
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Growth of near planar Si0.5Ge0.5 epitaxial layers directly on Si substrate by UHV/CVD at 500℃ 期刊论文
功能材料与器件学报, 2006, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 5-9
Authors:  ZHAO Lei;  Zuo Yuhua;  Li Chuanbo;  Cheng Buwen;  Luo Liping;  Yu Jinzhong;  Wang Qiming
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