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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Ren, Fang;   Liu, Bingyao;   Chen, Zhaolong;   Yin, Yue;   Sun, Jingyu;   Zhang, Shuo;   Jiang, Bei;   Liu, Bingzhi;   Liu, Zhetong;   Wang, Jianwei;   Liang, Meng;   Yuan, Guodong;   Yan, Jianchang;   Wei, Tongbo;   Yi, Xiaoyan;   Wang, Junxi;   Zhang, Yong;   Li, Jinmin;   Gao, Peng;   Liu,
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Xinran Zhang;   Shuo Zhang;   Guodong Wang;   Yunyu Wang;   Meng Liang;   Teng Zhan;   Junxi Wang;   Jinmin Li;   Zhiqiang Liu;   Xiaoyan Yi
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无权访问的条目 学位论文
Authors:  张硕
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Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  张硕
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Aln  溅射法  Si(100)衬底  氧污染  椭偏测量  
半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
Inventors:  张硕;  段瑞飞;  何志;  魏同波;  张勇辉;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  安平博;  张硕;  赵丽霞;  段瑞飞;  路红喜;  王军喜;  李晋闽
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一种氮化物外延装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors:  张硕;  段瑞飞;  曾一平;  王军喜;  李晋闽
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Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
Inventors:  刘波亭;  马平;  郭仕宽;  甄爱功;  张烁;  吴冬雪;  王军喜;  李晋闽
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具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
Inventors:  张烁;  马平;  郭仕宽;  刘波亭;  李晋闽;  王军喜
Adobe PDF(424Kb)  |  Favorite  |  View/Download:303/6  |  Submit date:2016/09/22