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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, Jingmin;   He, Zhi;   Guo, Zhiyu;   Tian, Run;   Wang, Fengxuan;   Liu, Min;   Yang, Xiang;   Fan, Zhongchao;   Yang, Fuhua
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo, Zhiyu;   Wu, Jingmin;   Tian, Run;   Wang, Fengxuan;   Xu, Pengfei;   Yang, Xiang;   Fan, Zhongchao;   Yang, Fuhua;   He, Zhi
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沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人:  何志;  张峰;  樊中朝;  赵咏梅;  孙国胜;  季安;  杨富华
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具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
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一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  李迪;  贾利芳;  何志;  樊中朝;  杨富华
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材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  赵永梅;  何志;  季安;  刘胜北;  黄亚军;  杨香;  段瑞飞;  张明亮;  王晓东;  杨富华
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一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  赵永梅;  何志;  季安;  王晓峰;  黄亚军;  潘岭峰;  樊中朝;  王晓东;  杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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