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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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光子晶体波导分布反馈激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵致民;  许兴胜;  陈弘达;  李芳;  刘育梁
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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  陆沅;  王晓晖
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改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
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双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐嘉东;  李建明;  杨占坤
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使多个V形光伏器件组件连接的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  徐嘉东;  刘海涛;  边莉;  迟迅;  翟永辉
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提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
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