中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1609/185  |  提交时间：2009/06/11
一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1288/213  |  提交时间：2009/06/11
生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1058/178  |  提交时间：2009/06/11
生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  冉军学;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1208/191  |  提交时间：2009/06/11
氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：977/175  |  提交时间：2009/06/11
低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  马骁宇
Adobe PDF(256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：965/140  |  提交时间：2009/06/11
采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
Adobe PDF(507Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1246/175  |  提交时间：2009/06/11
制造半导体双极器件的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐嘉东;  李建明;  张秀兰
Adobe PDF(209Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1041/146  |  提交时间：2009/06/11
提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明
Adobe PDF(329Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：899/148  |  提交时间：2009/06/11
用于实现光波导制备的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李健;  安俊明;  郜定山;  王红杰;  李建光;  胡雄伟
Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：918/155  |  提交时间：2009/06/11