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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Han Q (Han Qin);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Huang SS (Huang She-Song);  Du Y (Du Yun);  Peng HL (Peng Hong-Ling);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Wu RH (Wu Rong-Han);  Yang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xhyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Zhang SY;  Ni HQ;  He ZH;  Zhao H;  Peng HL;  Yang XH;  Han Q;  Wu RH;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zcniu@red.semi.ac.cn
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