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自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
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一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  刘祥林;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 466-470
Authors:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  魏宏远;  康亭亭;  王晓晖;  刘祥林;  王占国
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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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键合强度可调节的柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  王占国
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InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 380-384
Authors:  李昱峰;  韩培德;  陈振;  黎大兵;  王占国;  刘祥林;  陆大成;  王晓军;  汪度
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GaN的声表面波特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 161-164
Authors:  严莉;  陈晓阳;  何世堂;  李红浪;  韩培德;  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  朱勤生;  王占国
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表面应力诱导InGan量子点的生长及其性质 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 39-43
Authors:  李昱峰;  韩培德;  陈振;  黎大兵;  王占国
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钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 135-138
Authors:  王晓晖;  李昱峰;  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  王秀凤;  朱勤生;  王占国;  陈振;  韩培德
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AlInGaN合金的发光机制研究 期刊论文
人工晶体学报, 2003, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 574-578
Authors:  董逊;  黄劲松;  黎大兵;  刘祥林;  徐仲英;  王占国
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