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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1062Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1427/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王新华; 冯春; 王保柱; 马志勇; 王军喜; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅 Adobe PDF(973Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1322/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1338/172  |  提交时间:2009/06/11 |
| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1486/233  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平 Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1333/197  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1229/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1207/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1438/259  |  提交时间:2011/08/31 |
| 用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010033960.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 胡国新; 王晓亮; 冉军学; 肖红领; 殷海波; 张露; 李晋闽 Adobe PDF(346Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1299/177  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种化学气相沉积装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1596/272  |  提交时间:2011/08/31 |