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能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐嘉东;  李建明;  杨占坤
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一种可见光通信控制系统及其实现方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235019.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  陈弘达;  张建昆;  陈雄斌;  朱琳;  刘博;  杨宇
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制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  胡强;  段瑞飞;  魏同波;  杨建坤;  霍自强;  曾一平
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在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  胡强;  段瑞飞;  魏同波;  杨建坤;  霍自强;  曾一平
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半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人:  张严波;  韩伟华;  杜彦东;  李小明;  陈艳坤;  杨香;  杨富华
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硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人:  韩伟华;  陈燕坤;  李小明;  张严波;  杜彦东;  杨富华
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制备GaN厚膜垂直结构LED的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人:  羊建坤;  魏同波;  胡强;  霍自强;  段瑞飞;  王军喜
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纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:  陈燕坤;  韩伟华;  洪文婷;  杨富华
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一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06
发明人:  李小明;  韩伟华;  张严波;  颜伟;  杜彦东;  陈燕坤;  杨富华
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生长半极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人:  羊建坤;  魏同波;  霍自强;  张勇辉;  胡强;  段瑞飞;  王军喜
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