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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴燕;  黄胜利;  朱贤方;  李论雄;  王占国;  王连洲
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湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  曾一平;  孙国胜;  黄风义;  王雷;  赵万顺
Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1298/189  |  提交时间：2009/06/11
制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  曾一平;  黄风义;  王保强;  朱占平
Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1071/173  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang FY;  Wang XF;  Sun GS;  Zhao WS;  Zeng YP;  Bian EL;  Huang, FY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, 35 E Qinghua Rd, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fyhuang@seu.edu.cn
Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1008/258  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘学锋;  李晋闽;  孔梅影;  黄大定;  李建平;  林兰英
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Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Liu XF;  Li JP;  Huang DD;  Li LX;  Sun DZ;  Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(265Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1456/272  |  提交时间：2010/11/15
Stranski-krastanow Growth  Quantum Dots  Relaxation  Inas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu J;  He ZH;  Chen KJ;  Huang XF;  Feng D;  Xu J,Nanjing Univ,Natl Lab Solid State Microstruct,Nanjing 210093,Peoples R China.
Adobe PDF(128Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1051/376  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Liu XF;  Li JP;  Huang DD;  Li LX;  Sun DZ;  Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(265Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1023/320  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu J;  He ZH;  Chen KJ;  Huang XF;  Feng DA;  Han HX;  Wang ZP;  Li GH;  Xu J,Nanjing Univ,State Key Lab Solid State Microstruct,Nanjing 210093,Peoples R China.
Adobe PDF(59Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1120/385  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李建平;  黄大定;  刘金平;  刘学锋;  李灵宵;  朱世荣;  孙殿照;  孔梅影
Adobe PDF(126Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1028/245  |  提交时间：2010/11/23