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| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1384/248  |  提交时间:2012/09/09 |
| Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010106765.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨晓丽; 陈诺夫; 尹志岗 Adobe PDF(213Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1124/208  |  提交时间:2011/08/31 |
| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1385/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1049/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 降低衬底表面残留杂质浓度的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03 发明人: 刘京明; 赵有文; 王凤华; 杨凤云 Adobe PDF(553Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:727/105  |  提交时间:2014/10/24 |
| 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11 发明人: 冯玉霞; 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 孔苏苏 Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:629/69  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 张锦川; 刘峰奇; 闫方亮; 姚丹阳; 王利军; 刘俊岐; 王占国 Adobe PDF(1730Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1097/54  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种低发散角的面區?射量子级联激光器结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 张锦川; 姚丹阳; 闫方亮; 刘峰奇; 王利军; 刘俊岐; 王占国 Adobe PDF(475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:831/104  |  提交时间:2014/11/05 |
| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(1180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:682/90  |  提交时间:2014/11/05 |
| 可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014 发明人: 闫方亮; 张锦川; 姚丹阳; 谭松; 王利军; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(761Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1013/141  |  提交时间:2014/11/05 |