一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法
张锦川; 刘峰奇; 闫方亮; 姚丹阳; 王利军; 刘俊岐; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-01-22
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-10-23
申请号CN201310504071.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25502
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
张锦川,刘峰奇,闫方亮,等. 一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法.
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一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及(1730KB) 限制开放使用许可请求全文
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