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硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106765.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨晓丽;  陈诺夫;  尹志岗
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磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
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提高半导体激光器温度稳定性的腔面镀膜方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010191207.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  徐鹏飞;  杨涛
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