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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Huang DD;  Li JP;  Liu C;  Gao, F, Shaanxi Normal Univ, Coll Phys & Informat Technol, Xian 710062, Peoples R China. 电子邮箱地址: feigao@snnu.edu.cn
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Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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Annealing  Molecular Beam Epitaxy  Germanium Silicon Alloys  Semiconducting Materials  Strain Relaxation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Huang CJ;  Huang DD;  Li JP;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F,Shaanxi Normal Univ,Dept Phys,Xian 710062,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Huang DD;  Li JP;  Kong MY;  Sun DZ;  Li JM;  Zeng YP;  Lin LY;  Gao F,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 10083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Huang CJ;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Huang DD;  Li JP;  Lin YX;  Sun DZ;  Kong MY;  Huang DD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Huang DD;  Li JP;  Lin YX;  Kong MY;  Li JM;  Zeng YP;  Lin LY;  Gao F,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Huang DD;  Li JP;  Lin YX;  Kong MY;  Sun DZ;  Li JM;  Lin LY;  Gao F,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin YX(林燕霞);  Huang DD(黄大定);  Zhang XL(张秀兰);  Liu JP(刘金平);  Li JP(李建平);  Gao F(高飞);  Sun DZ(孙殿照);  Ceng YP(曾一平);  Kong MY(孔梅影)
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