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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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带有分布反馈光栅和多孔波导量子级联激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人:  胡永正;  刘峰奇;  王利军;  张锦川;  赵立华;  王占国
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石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  任正良;  阚强;  袁丽君;  潘教青;  王圩
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以石墨烯为饱和吸收体的键合的锁模激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  任正良;  阚强;  袁丽君;  潘教青;  王圩
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