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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强 Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1561/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1264/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1238/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:970/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 陈晨龙 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1024/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭伦春; 王晓亮; 王军喜; 肖红领; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1207/206  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(411Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:961/183  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(1125Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:983/150  |  提交时间:2009/06/11 |