中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共26条，第1-10条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1560/189  |  提交时间：2009/06/11
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1237/193  |  提交时间：2009/06/11
利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李凯;  叶小玲;  王占国
Adobe PDF(339Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1104/170  |  提交时间：2009/06/11
改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1191/179  |  提交时间：2009/06/11
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：968/142  |  提交时间：2009/06/11
提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(656Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：990/153  |  提交时间：2009/06/11
制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘超;  高兴国;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1172/176  |  提交时间：2009/06/11
背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  王良臣;  王立彬;  郭金霞;  伊晓燕
Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1081/164  |  提交时间：2009/06/11
蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭伦春;  王晓亮;  王军喜;  肖红领;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1205/206  |  提交时间：2009/06/11
磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭瑜;  刘峰奇;  李成明;  刘俊岐;  王占国
Adobe PDF(766Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1097/185  |  提交时间：2009/06/11