已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 一种强磁场的霍尔效应测试装置及其测试方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张攀峰; 吴洁君; 胡卫国; 刘祥林 Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1421/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1289/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴洁君; 韩修训; 李杰民; 黎大兵; 陆沅; 王晓晖 Adobe PDF(620Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1148/152  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于电调制光致发光光谱测量的样品架 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 丛光伟; 彭文琴; 吴洁君; 魏宏源; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1200/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制备稀磁半导体Ga 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良 Adobe PDF(240Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1006/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉 Adobe PDF(629Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1691/227  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种光瞬态自动测试系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 蒋波; 卢励吾; 张砚华 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:980/119  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 陈晨龙 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1036/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良 Adobe PDF(328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:840/129  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1078/157  |  提交时间:2009/06/11 |