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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, Y;  Li, MF;  He, JF;  Zhu, Y;  Wang, LJ;  Ni, HQ;  He, ZH;  Niu, ZC
Adobe PDF(1616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：885/313  |  提交时间：2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  He JF;  Niu ZC;  Chang XY;  Ni HQ;  Zhu Y;  Li MF;  Shang XJ;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. zcniu@semi.ac.cn
Adobe PDF(6475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1411/319  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  He JF;  Wang HL;  Shang XJ;  Li MF;  Zhu Y;  Wang LJ;  Yu Y;  Ni HQ;  Xu YQ;  Niu ZC;  He, JF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, hejifang@semi.ac.cn
Adobe PDF(980Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1015/276  |  提交时间：2012/01/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shang XJ;  He JF;  Wang HL;  Li MF;  Zhu Y;  Niu ZC;  Fu Y;  Shang, XJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. xjshang@semi.ac.cn;  fyg@theochem.kth.se
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1498/245  |  提交时间：2012/08/29