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| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林
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| 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 陈诺夫; 王占国
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| 在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆沅; 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 王占国
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| 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 蒋渭生
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| 磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 杨霏; 尹志岗 ; 柴春林; 吴金良
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| 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵; 刘祥林; 陈涌海; 朱勤生; 王占国
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| 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 杨少延; 刘志凯; 柴春林
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| 磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 尹志岗; 杨霏; 陈诺夫; 吴金良; 柴春林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 裴为华; 陈弘达; 唐君; 鲁琳; 刘金彬; 吴惠娟; 陈晶华; 胡小凤; 黎晓新; 李凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 额尔敦朝鲁; 李树深; 肖景林
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