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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bian LF;  Jiang D;  Liang XG;  Lu SL;  Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lfbian@red.semi.ac.cn
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新型GaAs 基长波长低维半导体材料的光学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  边历峰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song SF;  Chen WD;  Zhang CG;  Bian LF;  Hsu CC;  Ma BS;  Li GH;  Zhu JJ;  Song, SF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sfsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ni HQ;  Niu ZC;  Xu XH;  Xu YQ;  Zhang W;  Wei X;  Bian LF;  He ZH;  Han Q;  Wu RH;  Ni, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  边历锋;  江德生;  陆书龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bian LF;  Jiang DS;  Tan PH;  Lu SL;  Sun BQ;  Li LH;  Harmand, JC;  Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lfbian@pdi-berlin.de
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Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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Molecular Beam Epitaxy  Quantum Wells  Gaassb/gaas  Gaas  Lasers  Gain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang, DS, CAS, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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