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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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安俊明 [2]
段瑞飞 [1]
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王玥 [1]
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期刊论文 [10]
专利 [9]
发表日期
2009 [19]
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发表日期:2009
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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题名降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:
王晓亮
;
罗卫军
;
郭伦春
;
肖红领
;
李建平
;
李晋闽
Adobe PDF(592Kb)
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浏览/下载:1367/236
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提交时间:2010/03/19
在蓝宝石上生长大尺寸高质量氧化锌单晶厚膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:
何金孝
;
段 尭
;
曾一平
;
李晋闽
;
王晓峰
Adobe PDF(601Kb)
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收藏
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浏览/下载:1293/239
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提交时间:2010/03/19
采用非平面工艺制备硅线波导的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:
安俊明
;
吴远大
;
李建光
;
李俊一
;
胡雄伟
Adobe PDF(286Kb)
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收藏
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浏览/下载:1244/260
  |  
提交时间:2010/03/19
一种氮化物薄膜外延生长的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
张 扬
;
张会肖
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
Adobe PDF(443Kb)
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浏览/下载:1390/265
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提交时间:2010/03/19
倒装双结铟镓氮太阳能电池结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
杨翠柏
;
肖红领
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李晋闽
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浏览/下载:1485/220
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提交时间:2009/06/11
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
樊中朝
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
王军喜
;
张扬
Adobe PDF(556Kb)
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浏览/下载:1581/269
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提交时间:2009/06/11
光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李晋闽
;
王晓东
;
王国宏
;
王良臣
;
杨富华
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浏览/下载:1234/201
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提交时间:2009/06/11
一种氮化物材料外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
段瑞飞
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1144/199
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提交时间:2009/06/11
一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高永海
;
张扬
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
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浏览/下载:1577/272
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ding K (Ding, K.)
;
Zeng YP (Zeng, Y. P.)
;
Wei XC (Wei, X. C.)
;
Li ZC (Li, Z. C.)
;
Wang JX (Wang, J. X.)
;
Lu HX (Lu, H. X.)
;
Cong PP (Cong, P. P.)
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Yi XY (Yi, X. Y.)
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Wang GH (Wang, G. H.)
;
Li JM (Li, J. M.)
;
Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1401/502
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提交时间:2010/03/08