×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [11]
作者
江德生 [3]
徐波 [1]
文献类型
会议论文 [11]
发表日期
2006 [1]
2003 [1]
2001 [2]
2000 [1]
1999 [2]
1998 [4]
更多...
语种
英语 [11]
出处
JOURNAL OF... [2]
BLUE LASER... [1]
COMPOUND S... [1]
ICO20 MATE... [1]
INTEGRATED... [1]
JOURNAL OF... [1]
更多...
资助项目
收录类别
CPCI-S [11]
资助机构
China Natl... [2]
Hong Kong ... [1]
IEEE.; Mot... [1]
Int Commis... [1]
Japan Soc ... [1]
Japan Soc ... [1]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
帮助
限定条件
文献类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
作者升序
作者降序
Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G
会议论文
ICO20 MATERIALS AND NANOSTRUCTURES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Shen, WJ
;
Duan, Y
;
Wang, J
;
Wang, QY
;
Zeng, YP
;
Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(402Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1675/615
  |  
提交时间:2010/03/29
Zno
Mocvd
Thermal Annealing
Photoluminescence
X-ray Diffraction
Atomic Force Microscopy
Pulsed-laser Deposition
Thin-films
Photoluminescence
Mechanisms
Epitaxy
Cvd
Si
MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zhang BS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(229Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1378/302
  |  
提交时间:2010/10/29
Vapor-phase Epitaxy
Layers
Aln
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Li JM
;
Sun GS
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Luo MC
;
Zhang FF
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(113Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1232/247
  |  
提交时间:2010/11/15
X-ray Diffraction
Molecular Beam Epitaxy
Semiconducting Silicon Compounds
Low-temperature Growth
Films
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Sun BQ
;
Jiang DS
;
Pan Z
;
Li LH
;
Wu RH
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(112Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1144/261
  |  
提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Semiconducting Iiiv Materials
Luminescence
Gaasn
Static and dynamic electric field domain formation in a doped GaAs/AlAs superlattice
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Wang JN
;
Sun BQ
;
Wang XR
;
Wang YQ
;
Ge WK
;
Jiang DS
;
Wang HL
;
Wang JN Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong Peoples R China.
Adobe PDF(113Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1275/271
  |  
提交时间:2010/11/15
Superlattices
Gaas/alas
Electric Field Domains
Tunnelling
Oscillations
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001)
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Zhou W
;
Xu B
;
Xu HZ
;
Liu FQ
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Zhu ZZ
;
Li GH
;
Zhou W Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(214Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1415/231
  |  
提交时间:2010/11/15
Bimodal Distribution
Photoluminescence (Pl)
Quantum-size Effect
Ge
Ensembles
Si(100)
Growth
Shape
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
;
Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
Adobe PDF(208Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1477/311
  |  
提交时间:2010/11/15
Threading Dislocation
Si(100)
Layers
Films
The growth and characterization of GaN grown on a gamma-Al2O3/(001) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
收藏
  |  
浏览/下载:897/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Sapphire
Electroluminescence and photoluminescence of Si/SiGe self-assembly quantum dot structures
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Si JJ
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Wang QM
;
Si JJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(796Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1137/189
  |  
提交时间:2010/10/29
Si/sige
Quantum Dot
Electroluminescence
Photoluminescence
The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:
Liu XL
;
Wang LS
;
Lu DC
;
Wang D
;
Wang XH
;
Lin LY
;
Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(122Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1398/401
  |  
提交时间:2010/11/15
Movpe
Gan
Gan Buffer
Heavy Si-doping