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| 变温的高阻半导体材料光电测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张砚华; 卢励吾; 樊志军
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| 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 王晓亮; 毕杨; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 林孟喆; 曹青; 颜庭静; 陈良惠
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| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| 具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 张烁; 马平; 郭仕宽; 刘波亭; 李晋闽; 王军喜
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| 一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 张连; 张韵; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽
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