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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 祝梦遥; 鲁军; 马佳淋; 李利霞; 王海龙; 潘东; 赵建华
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| 相变存储器器件工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 马慧莉
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人: 王大拯; 王翠鸾; 仲莉; 韩淋; 崇峰; 史慧玲; 王冠; 胡理科; 刘素平; 马骁宇
Adobe PDF(249Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1441/217 | 提交时间：2009/06/11 |
| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
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| 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 王新华; 冯春; 王保柱; 马志勇; 王军喜; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅
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| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
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| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma BS; Wang WJ; Su FH; Den JJ; Jiang CP; Liu HL; Ding K; Zhao JH; Li GH; Ma, BS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马宝珊; 王文杰; 苏付海; 邓加军; 蒋春萍; 刘海林; 丁琨; 赵建华; 李国华
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