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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈贵锋; 谭小动 ; 万尾甜; 沈俊; 郝秋艳; 唐成春; 朱建军; 刘宗顺; 赵德刚; 张书明
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| 氮化镓基多波段探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉
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| 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邓懿; 赵德刚; 吴亮亮; 刘宗顺; 朱建军; 江德生; 张书明; 梁骏吾
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiang DS; Jahn U; Chen J; Li DY; Zhang SM; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Yang H; Ploog K; Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李德尧; 张书明; 王建峰; 陈俊; 陈良惠; 种明; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 杨辉; 梁骏吾
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen J; Zhang SM; Zhang BS; Zhu JJ; Shen XM; Feng G; Liu JP; Wang YT; Yang H; Zheng WC; Chen J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉
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| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 杨辉
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| 氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241546.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 季莲; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
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