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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [40]
作者
刘兴昉 [11]
宁瑾 [1]
王晓峰 [1]
文献类型
专利 [16]
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发表日期
2010 [2]
2009 [6]
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2006 [6]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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WOS被引频次降序
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提交时间升序
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作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
电学测试的汞探针装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:
纪 刚
;
孙国胜
;
宁 瑾
;
刘兴昉
;
赵永梅
;
王 雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(270Kb)
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浏览/下载:2002/331
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提交时间:2010/08/12
一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:
孙国胜
;
王 雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
叶志仙
;
刘兴昉
Adobe PDF(801Kb)
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浏览/下载:1949/301
  |  
提交时间:2010/08/12
碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:
赵永梅
;
宁 瑾
;
孙国胜
;
王 亮
;
刘兴昉
;
赵万顺
;
王 雷
;
李晋闽
;
曾一平
Adobe PDF(713Kb)
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浏览/下载:1676/272
  |  
提交时间:2010/03/19
多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:
王 亮
;
宁 瑾
;
孙国胜
;
王 雷
;
赵万顺
;
赵永梅
;
刘兴昉
Adobe PDF(519Kb)
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浏览/下载:1530/215
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提交时间:2010/03/19
氧化硅上制备低阻碳化硅的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
宁 瑾
;
王 亮
;
刘兴昉
;
赵万顺
;
王 雷
;
李晋闽
;
曾一平
Adobe PDF(564Kb)
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浏览/下载:1681/262
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提交时间:2010/03/19
图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
王 亮
;
王 雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
Adobe PDF(839Kb)
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浏览/下载:1538/242
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提交时间:2010/03/19
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1829/274
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:2020/307
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
李家业
;
王雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
Adobe PDF(365Kb)
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浏览/下载:1590/230
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
Adobe PDF(685Kb)
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浏览/下载:1403/186
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提交时间:2009/06/11