|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106773.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-07-14, 2011-08-30
发明人: 王国伟; 汤宝; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
 Adobe PDF(560Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1491/189 | 提交时间：2011/08/30 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源 ; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国
Adobe PDF(580Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1061/184 | 提交时间：2012/09/09 |
| HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张宇; 王国伟; 汤宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川; 陈良惠
Adobe PDF(176Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1550/269 | 提交时间：2011/08/31 |
| 带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
Adobe PDF(984Kb) | 收藏 | 浏览/下载：926/116 | 提交时间：2014/11/05 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
Adobe PDF(391Kb) | 收藏 | 浏览/下载：933/98 | 提交时间：2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(822Kb) | 收藏 | 浏览/下载：880/85 | 提交时间：2014/10/29 |
| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
Adobe PDF(1368Kb) | 收藏 | 浏览/下载：904/76 | 提交时间：2014/11/24 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(934Kb) | 收藏 | 浏览/下载：664/97 | 提交时间：2014/10/31 |
| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(1931Kb) | 收藏 | 浏览/下载：841/73 | 提交时间：2014/11/24 |
| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川
Adobe PDF(932Kb) | 收藏 | 浏览/下载：815/107 | 提交时间：2014/11/24 |
