Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 | |
| 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2014-06-25 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体物理 |
| 申请日期 | 2014-04-16 |
| 申请号 | CN201410153659.0 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25720 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒋洞微,向伟,王娟,等. InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| InAs_GaSb超晶格红外光电探测器及（932KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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