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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强 Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1698/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊 Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1215/180  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 沈文娟; 曾一平; 王俊 Adobe PDF(384Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:994/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1369/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1298/179  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1095/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠梅; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(656Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1105/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭伦春; 王晓亮; 王军喜; 肖红领; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1355/206  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊 Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1245/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(411Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1211/183  |  提交时间:2009/06/11 |