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气态束源炉瞬态开关控制真空装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  徐晓华;  徐应强;  张纬;  韩勤;  吴荣汉
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带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆羽;  张靖;  朱洪亮;  王圩
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新型平面型DFB内光栅耦合结构制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  王圩;  刘国利;  张静媛
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一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张子旸;  王占国;  徐波;  金鹏;  刘峰奇
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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:  Ying-Qiang X;  Zhang W;  Niu ZC;  Wu RG;  Wang QM;  Ying-Qiang X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Sio2 Encapsulation  Rapid-thermal-annealing  Nitrogen Reorganization  Molecular-beam Epitaxy  Optical-properties  Mu-m  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SR;  Wang W;  Zhu HL;  Zhao LJ;  Zhang RY;  Zhou F;  Shu HY;  Wang RF;  Wang, SR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, W;  He, ZH;  Han, Q;  Wu, RH;  Xu, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Supperlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xiaohua_xu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu W;  Li DB;  Li CR;  Zhang Z;  Li, CR, Chinese Acad Sci, Beijing Lab Electron Microscopy, Inst Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: crli@aphy.iphy.ac.cn
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