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Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Liu XF;  Li JP;  Huang DD;  Li LX;  Sun DZ;  Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Stranski-krastanow Growth  Quantum Dots  Relaxation  Inas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JB;  Yang H;  Zheng LX;  Xu DP;  Wang YT;  Li JB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Liu XF;  Li JP;  Huang DD;  Li LX;  Sun DZ;  Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun XL;  Yang H;  Wang YT;  Li GH;  Zheng LX;  Li JB;  Xu DP;  Wang ZG;  Sun XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Zhao DG;  Li JB;  Zheng LX;  Wang YT;  Li SF;  Duan LH;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang H;  Zheng LX;  Li JB;  Wang XJ;  Xu DP;  Wang YT;  Hu XW;  Han PD;  Yang H,Chinese Acad Sci,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Wang YT;  Yang H;  Zheng LX;  Li JB;  Duan LH;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun XL;  Yang H;  Zheng LX;  Xu DP;  Li JB;  Wang YT;  Li GH;  Wang ZG;  Sun XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李建平;  黄大定;  刘金平;  刘学锋;  李灵宵;  朱世荣;  孙殿照;  孔梅影
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙小玲;  杨辉;  李国华;  郑联喜;  李建斌;  王玉田;  王占国
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