中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共78条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai YQ;  Li JB;  Hou QF;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Li JM;  Li JB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
Adobe PDF(107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1200/374  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai PF;  You JB;  Zhang XW;  Dong JJ;  Yang XL;  Yin ZG;  Chen NF;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(341Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1801/487  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen L;  Yan S;  Xu PF;  Lu J;  Wang WZ;  Deng JJ;  Qian X;  Ji Y;  Zhao JH;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(483Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1233/424  |  提交时间：2010/03/08
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Sun, GS;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Liu, XF;  Ji, G;  Zeng, YP;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1721/274  |  提交时间：2010/03/09
In-situ Doping  Boron  Aluminum  Memory Effects  Hot-wall Lpcvd  4h-sic  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xie Jing;  Liu Yunfei;  Yang Jinling;  Tang Longjuan;  Yang Fuhua
Adobe PDF(380Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1039/438  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu LW;  So CK;  Zhu CY;  Gu QL;  Li CJ;  Fung S;  Brauer G;  Anwand W;  Skorupa W;  Ling CC;  Lu, LW, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: ccling@hku.hk
Adobe PDF(516Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1185/365  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kazanskii, AG;  Kong, GL;  Zeng, XB;  Hao, HY;  Liu, FZ;  Kazanskii, AG, Moscow MV Lomonosov State Univ, Dept Phys, Moscow 119991, Russia. 电子邮箱地址: kazanski@phys.msu.ru
Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1228/309  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Ning, J;  Liu, XF;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(4488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：978/232  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, YL;  Zhang, LW;  Xie, GL;  Ni, J;  Chen, YH;  Zhang, LW, Tsinghua Univ, Dept Phys, Adv Mat Lab, Beijing 100084, Peoples R China. 电子邮箱地址: lwzhang@tsinghua.edu.cn
Adobe PDF(1180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：935/303  |  提交时间：2010/03/08
In-situ Boron-doped Low-stress LPCVD Polysilicon for Micromechanical Disk Resonator 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Liu, YF;  Xie, J;  Yang, JL;  Tang, LJ;  Yang, FH;  Liu, YF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1456/370  |  提交时间：2010/03/09
Films