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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科... [30]
作者
魏鸿源 [1]
文献类型
专利 [30]
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中文 [8]
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SEMI OpenIR
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文献类型:专利
专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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水汽探测用激光芯片的制造方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
于红艳
;
周旭亮
;
邵永波
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
Adobe PDF(372Kb)
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浏览/下载:1410/184
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提交时间:2012/09/09
量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
邵永波
;
赵玲娟
;
于红艳
;
潘教青
;
王宝军
;
王圩
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浏览/下载:1281/219
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提交时间:2012/09/09
利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
时凯
;
刘祥林
;
魏鸿源
;
焦春美
;
王俊
;
李志伟
;
宋亚峰
;
杨少延
;
朱勤生
;
王占国
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浏览/下载:1067/184
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提交时间:2012/09/09
在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
桑玲
;
王俊
;
魏鸿源
;
焦春美
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:1570/250
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提交时间:2012/09/09
一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
于红艳
;
周旭亮
;
邵永波
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
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浏览/下载:1173/207
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提交时间:2012/09/09
倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
周旭亮
;
于红艳
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
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浏览/下载:1221/183
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提交时间:2012/09/09
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
周旭亮
;
于红艳
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
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浏览/下载:1121/163
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提交时间:2012/09/09
运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
周旭亮
;
于红艳
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
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浏览/下载:1140/183
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提交时间:2012/09/09
硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06
发明人:
袁丽君
;
于红艳
;
周旭亮
;
王火雷
;
潘教青
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浏览/下载:791/106
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提交时间:2014/10/24
一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:
米俊萍
;
周旭亮
;
于红艳
;
李梦珂
;
李士颜
;
潘教青
Adobe PDF(785Kb)
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浏览/下载:769/72
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提交时间:2014/12/25