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| 基于激光退火的 InGaN 基绿光 LED 效率提升研究 学位论文 工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 王新维![](/image/person.jpg)
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| 基于高温退火AlN模板的深紫外激光二极管MOVPE生长研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 王大地
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张连; 魏学成; 路坤熠; 魏同波; 王军喜; 李晋闽
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| 发光二极管封装结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨华 ; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕 ; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强 ; 汪炼成; 伊晓燕 ; 王莉; 王国宏
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| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张连; 丁凯 ; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| 一种氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 刘乃鑫; 路红喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010514077.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏同波 ; 王军喜; 路红喜; 刘乃鑫; 曾一平; 李晋闽
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强 ; 汪炼成; 伊晓燕 ; 王莉; 王国宏
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| 发光二极管封装结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102231421A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨华 ; 卢鹏志; 谢海忠 ; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕 ; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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