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Magnetoresistance in a nominally undoped InGaN thin film 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 63-66
Authors:  Ding K;  Zeng YP;  Li YY;  Cui LJ;  Wang JX;  Lu HX;  Cong PP;  Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
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Negative Magnetoresistance  Diodes  
InGaN基发光二极管的反常特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
Authors:  丁凯
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Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 94009-1-94009-4
Authors:  Ji Xiaoli;  Yang Fuhua;  Wang Junxi;  Duan Ruifei;  Ding Kai;  Zeng Yiping;  Wang Guohong;  Li Jinmin
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Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: Art. No. 021001
Authors:  Ding K;  Zeng YP;  Duan RF;  Wei XC;  Wang JX;  Ma P;  Lu HX;  Cong PP;  Li JM;  Ding K Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dingkai@red.semi.ac.cn
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Localization  Semiconductors  Emission  Boxes  Band  
利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  张连;  丁凯;  王军喜;  段瑞飞;  曾一平;  李晋闽
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利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  丁凯;  张连;  王军喜;  段瑞飞;  曾一平;  李晋闽
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一种检测肿瘤标志物的生物传感器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  张杨;  王成艳;  关敏;  丁凯;  张斌田;  林璋;  黄丰;  曾一平
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一种快速检测重金属离子的多通道传感器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  张杨;  王成艳;  关敏;  丁凯;  张斌田;  林璋;  黄丰;  曾一平
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InP基HEMT肿瘤标志物传感器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  张杨;  王成艳;  关敏;  丁凯;  张斌田;  林璋;  黄丰;  曾一平
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GaAs基PHEMT生物传感器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  王成艳;  张杨;  关敏;  丁凯;  张斌田;  林璋;  黄丰;  曾一平
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