已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999 发明人: 王 颖; 韩伟华; 杨 香; 张 杨; 杨富华 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1447/257  |  提交时间:2010/03/19 |
| 具有双量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华; 杨香 Adobe PDF(855Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1236/138  |  提交时间:2009/06/11 |
| 围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华; 杨香 Adobe PDF(896Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1115/156  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华; 杨香; 吴南健 Adobe PDF(1822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1189/118  |  提交时间:2009/06/11 |
| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1534/249  |  提交时间:2011/08/31 |
| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07 发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华 Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1532/342  |  提交时间:2012/09/07 |
| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1246/84  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:737/0  |  提交时间:2016/08/30 |
| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:719/1  |  提交时间:2016/08/30 |
| 一种制备图形化多孔硅结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 赵永梅; 杨香; 季安; 张明亮; 韩国威; 宁瑾; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(686Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:877/92  |  提交时间:2014/11/05 |