SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路; 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路
韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路,该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串,该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电路由一组并联的P型纳米线MOS晶体管与一N型纳米线MOS晶体管通过漏端节点相串联而构成CMOS电路,P型纳米线MOS晶体管的源端输入脉冲电压信号;积分求和器由一电容C∑构成,该电容与树突电路中的P型与N型纳米线MOS晶体管的漏端节点相连接,积累加权电流形成触发电压信号;脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路,产生脉冲序列串输出,输出脉冲序列串的频率受到输入电压脉冲信号的调制。
部门归属半导体集成技术工程研究中心
专利号CN200910091405.X
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910091405.X
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22387
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
韩伟华,熊莹,赵凯,等. 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路, 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路. CN200910091405.X.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路(533KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[韩伟华]的文章
[熊莹]的文章
[赵凯]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[韩伟华]的文章
[熊莹]的文章
[赵凯]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[韩伟华]的文章
[熊莹]的文章
[赵凯]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。