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| 金属有机物化学气相沉积装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12 发明人: 段瑞飞; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2437/550  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种氮化物材料外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1222/199  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(541Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1180/215  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1451/234  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强 Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1670/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 丁凯; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1750/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种化学气相沉积装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1742/272  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010269018.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 冉军学; 胡国新; 梁勇; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(756Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1472/250  |  提交时间:2011/08/31 |