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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
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| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张心强; 张维佳; 武美伶; 贾士亮; 刘浩; 李国华
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| 基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196135.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 马绍栋; 郑婉华; 陈微; 周文君; 刘安金; 彭红玲
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| FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201648A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 郑婉华; 周文君; 陈微; 刘安金; 王海玲
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