| FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器; FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器 |
| 郑婉华; 周文君; 陈微; 刘安金; 王海玲
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 本发明公开了本发明公开了一种FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器,该激光器具有深刻蚀孔的光子晶体结构,该光子晶体结构具有带边面发射性质,且位于FP脊形条上,FP脊形条宽度较宽,FP腔长度较长,P电极完全位于脊形条上,根据光子晶体的对称性,可以扩展FP腔的结构。利用本发明,能够实现低成本的电注入光子晶体带边面发射激光器,且本结构可以用于集成光路中特征信号的读出器,通过对FP腔结构的扩展,可以实现多通道耦合增强。 |
部门归属 | 纳米光电子实验室
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专利号 | CN102201648A
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN201110093303.9
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23454
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专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
郑婉华,周文君,陈微,等. FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器, FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器. CN102201648A.
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