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FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器; FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器
郑婉华; 周文君; 陈微; 刘安金; 王海玲
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 本发明公开了本发明公开了一种FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器,该激光器具有深刻蚀孔的光子晶体结构,该光子晶体结构具有带边面发射性质,且位于FP脊形条上,FP脊形条宽度较宽,FP腔长度较长,P电极完全位于脊形条上,根据光子晶体的对称性,可以扩展FP腔的结构。利用本发明,能够实现低成本的电注入光子晶体带边面发射激光器,且本结构可以用于集成光路中特征信号的读出器,通过对FP腔结构的扩展,可以实现多通道耦合增强。
部门归属纳米光电子实验室
专利号CN102201648A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110093303.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23454
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
郑婉华,周文君,陈微,等. FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器, FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器. CN102201648A.
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FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光(1428KB) 限制开放使用许可请求全文
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