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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005 发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(592Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1483/236  |  提交时间:2010/03/19 |
| 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1603/246  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1550/200  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 何金孝; 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1092/290  |  提交时间:2010/11/23 |
| 用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曹国华; 秦大山; 李建平; 曹峻松; 曾一平 Adobe PDF(530Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1229/173  |  提交时间:2009/06/11 |
| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1623/233  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种有机材料升华提纯装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曹国华; 秦大山; 李建平; 曹峻松; 曾一平 Adobe PDF(472Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1416/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平 Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1464/197  |  提交时间:2009/06/11 |
| 直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果 2007 主要完成人: 李晋闽; 曾一平; 惠峰; 卜俊鹏; 王文军; 郑红军; 孙红方 收藏  |  浏览/下载:2277/0  |  提交时间:2010/04/13 六英寸半绝缘砷化镓单晶 |
| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1347/193  |  提交时间:2009/06/11 |