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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
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| 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
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| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 何金孝; 段垚; 王晓峰 ; 崔军朋; 曾一平; 李晋闽
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| 用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曹国华; 秦大山; 李建平; 曹峻松; 曾一平
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| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 一种有机材料升华提纯装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曹国华; 秦大山; 李建平; 曹峻松; 曾一平
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| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平
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| 直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人: 李晋闽; 曾一平; 惠峰; 卜俊鹏; 王文军; 郑红军; 孙红方
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六英寸半绝缘砷化镓单晶 |
| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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