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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
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| 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 王新华; 冯春; 王保柱; 马志勇; 王军喜; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅
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| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
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| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| GaN 基HEMT 材料的MOCVD 生长及器件应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者: 马志勇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡春华; 毕勇; 孙志培; 李瑞宁; 许祖彦; 方高瞻; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王勇刚; 马骁宇; 冯健; 李伟; 李照银
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈博; 王圩 ; 汪孝杰; 张静媛; 朱洪亮; 周帆; 王玉田; 马朝华; 张子莹; 刘国利
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张佰君; 衣茂斌; 李德辉; 申智渊; 高鼎三; 马晓宇
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