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一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  杨笛
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一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  刘祥林;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu JZ;  Chen SW;  Xia JS;  Wang ZT;  Fan ZC;  Li YP;  Liu JW;  Yang D;  Chen YY;  Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, Q;  Yang, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, SY;  Du, Y;  Peng, LH;  Zhao, H;  Tong, CZ;  Wu, RH;  Wang, QM;  Han, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hanqin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Niu, ZC;  Zhang, SY;  Ni, HQ;  Wu, DH;  Zhao, H;  Peng, HL;  Xu, YQ;  Li, SY;  He, ZH;  Ren, ZW;  Han, Q;  Yang, XH;  Du, Y;  Wu, RH;  Zhang, SY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangshiyong@tsinghua.org.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang CP;  Zhao JH;  Deng JJ;  Yang FH;  Niu ZC;  Wu XG;  Zheng HZ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang D;  Yu JZ;  Chen SW;  Fan ZC;  Li YT;  Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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