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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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会议论文 [7]
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Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 6 (5-6), Sendai, JAPAN, MAR 20-22, 2003
作者:
Leung BH
;
Fong WK
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
;
Surya C Hong Kong Polytech Univ Photon Res Ctr Dept Elect & Informat Engn Hong Kong Hong Kong Peoples R China. 电子邮箱地址: ensurya@polyu.edu.hk
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提交时间:2010/10/29
Gan
Low-frequency Noise
Deep Levels
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy
Devices
Space-grown SI-GaAs and its application
会议论文
2002 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTING & INSULATING MATERIALS, SMOLENICE, SLOVAKIA, JUN 30-JUL 05, 2002
作者:
Chen NF
;
Zhong XG
;
Zhang M
;
Lin LY
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semiinsulating Gallium-arsenide
Floating-zone Growth
Crystal-growth
Zero Gravity
Microgravity
Segregation
Stoichiometry
Silicon
Defects
Insb
Space grown semi-insulating gallium arsenide single crystal and its application
会议论文
IMPACT OF THE GRAVITY LEVEL ON MATERIALS PROCESSING AND FLUID DYNAMICS, 29 (4), WARSAW, POLAND, JUL, 2000
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Zhang M
;
Lin LY
;
Chen NF Acad Sinica Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Semiinsulating Gaas
Stoichiometry
Defects
Semi-insulating GaAs grown in outer space
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Gaas
Outer Space
Microgravity
Integrated Circuit
Semiinsulating Gallium-arsenide
Lec-gaas
Defects
Stoichiometry
Segregation
Carbon
Boron
Stoichiometry in GaAs grown in outer space measured nondestructively
会议论文
NONDESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MATERIALS IX, 497, SYDNEY, AUSTRALIA, JUN 28-JUL 02, 1999
作者:
Chen NF
;
Zhong XG
;
Lin LY
;
Chen NF Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semiinsulating Gallium-arsenide
Crystals
Defects
Structural properties of SI-GaAs grown in space
会议论文
GRAVITATIONAL EFFECTS IN MATERIALS AND FLUID SCIENCES, 24 (10), NAGOYA, JAPAN, JUL 12-19, 1998
作者:
Chen NF
;
Wang YT
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Semiinsulating Gallium-arsenide
Microgravity
Stoichiometry
Twin and grain boundary in InP: A synchrotron radiation study
会议论文
APPLICATIONS OF SYNCHROTRON RADIATION TECHNIQUES TO MATERIALS SCIENCE IV, 524, SAN FRANCISCO, CA, APR 13-17, 1998
作者:
Han YJ
;
Jiang JH
;
Wang ZG
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Tian YL
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29